收藏本站
型号 IPB70N10S3-12
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB70N10S3-12 PDF
代理商 IPB70N10S3-12
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 70A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 11.3 毫欧 @ 70A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 66nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4355pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 标准包装
产品目录页面 1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPB70N10S3-12INDKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPB70N10S3-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB70N10S3-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB70N10S3L-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB70N10SL-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB77N06S2-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
IPB77N06S3-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
IPB79CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
IPB80N03S4L-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N03S4L-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N03S4L-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPB80N04S2-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S2-H4 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S2L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S3-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S3-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S3-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S3-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3